FQD17P06TM, Транзистор полевой P-канальный 60В 12А 135 мОм

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

200 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 15 шт. — 160 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 600 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8488690912

Артикул: FQD17P06TM

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой P-канальный 60В 12А 135 мОм

Корпус	dpak
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	12A
Maximum Drain Source Resistance	0.135?
Maximum Drain Source Voltage	60V
Maximum Gate Source Voltage	±25V
Minimum Operating Temperature	-55°C
Number of Elements per Chip	1
Pin Count	3
Product Height	2.3mm
Product Length	6.6mm
Product Width	6.1mm
Supplier Package	DPAK
Typical Fall Time	60ns
Typical Rise Time	100ns
Typical Turn-Off Delay Time	22ns
Typical Turn-On Delay Time	13ns
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	150°C
монтаж (установка)	Surface Mount
разрешение	Power MOSFET
Case	DPAK
Drain current	-7.6A
Drain-source voltage	-60V
Gate charge	27nC
Gate-source voltage	±25V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	ONSEMI
Mounting	SMD
On-state resistance	135mΩ
Polarisation	unipolar
Power dissipation	44W
Technology	QFET®
Type of transistor	P-MOSFET
Вес, г	0.6