Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › BCW32LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 32 В ...

BCW32LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А, 0.25 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 руб.

Мин. кол-во для заказа 186 шт.

от 554 шт. — 1.80 руб.

от 1108 шт. — 1.60 руб.

Добавить в корзину 186 шт. на сумму 558 руб.

Номенклатурный номер: 8493226512

Артикул: BCW32LT1G

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А, 0.25 Вт

Технические параметры

Корпус	sot-23
Pd - рассеивание мощности	225 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.94 mm
Длина	2.9 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	32 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	32 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BCW32L
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.3 mm
Collector Emitter Voltage Max	32В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	200hFE
DC Усиление Тока hFE	200hFE
Power Dissipation	225мВт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.05