2N7002ET1G, Транзистор полевой N-канальный 60В 260мА, 0.3Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 руб.
Мин. кол-во для заказа 60 шт.
от 304 шт. —
6 руб.
от 607 шт. —
4.90 руб.
от 1214 шт. —
4.20 руб.
Добавить в корзину 60 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 260мА, 0.3Вт
Технические параметры
| Корпус | sot-23 | |
| Channel Type | N Channel | |
| Drain Source On State Resistance | 0.86Ом | |
| Power Dissipation | 420мВт | |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C | |
| Монтаж транзистора | Surface Mount | |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В | |
| Непрерывный Ток Стока | 310мА | |
| Полярность Транзистора | N Канал | |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В | |
| Рассеиваемая Мощность | 420мВт | |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.86Ом | |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 | |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
| Brand: | onsemi | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
| Fall Time: | 3.6 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 530 mS | |
| Id - Continuous Drain Current: | 310 mA | |
| Manufacturer: | onsemi | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package/Case: | SOT-23-3 | |
| Pd - Power Dissipation: | 420 mW | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Product: | MOSFET Small Signal | |
| Qg - Gate Charge: | 810 pC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.5 Ohms | |
| Rise Time: | 1.2 ns | |
| Series: | 2N7002E | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 4.8 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.7 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 260mA(Ta) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.81nC @ 5V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 26.7pF @ 25V | |
| Manufacturer | ON Semiconductor | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Packaging | Digi-ReelВ® | |
| Part Status | Active | |
| Power Dissipation (Max) | 300mW(Tj) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 240mA, 10V | |
| Series | - | |
| Supplier Device Package | SOT-23-3(TO-236) | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 199 КБ
Datasheet 2N7002E
pdf, 131 КБ
Datasheet 2N7002ET1G
pdf, 88 КБ
Документация
pdf, 199 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
