AS6C4008-55PCN, (512K x 8, 55ns,), память SRAM 512K x 8 55нс

Фото 1/4 AS6C4008-55PCN, (512K x 8, 55ns,), память SRAM 512K x 8 55нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
880 руб.
от 2 шт.820 руб.
от 4 шт.809 руб.
от 8 шт.782 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 880 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8502078811
Артикул: AS6C4008-55PCN

Описание

Микросхемы / Микросхемы памяти / Статическая память - SRAM
память SRAM 512K x 8 55нс

Технические параметры

Корпус dip32
Access Time 55ns
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041
Memory Format SRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 4Mb (512K x 8)
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 0В°C ~ 70В°C (TA)
Package Tube
Package / Case 32-DIP (0.600"", 15.24mm)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 32-PDIP
Technology SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply 2.7V ~ 5.5V
Write Cycle Time - Word, Page 55ns
Address Bus Width 19bit
Low Power Yes
Maximum Operating Supply Voltage 5.5 V
Maximum Operating Temperature +70 °C
Maximum Random Access Time 55ns
Minimum Operating Supply Voltage 2.7 V
Minimum Operating Temperature 0 °C
Number of Bits per Word 8bit
Number of Words 512k
Organisation 512k x 8 bit
Package Type PDIP
Pin Count 32
Timing Type Asynchronous
Width 13.818mm
Address Bus 19(b)
Architecture SDR
Clock Freq Not Required(MHz)
Density 4194304(Bit)
Mounting Through Hole
Number of I/O Lines 8
Number of Ports 1
Operating Supply Voltage (Max) 5.5(V)
Operating Supply Voltage (Min) 2.7(V)
Operating Supply Voltage (Typ) 3(V)
Operating Temp Range 0C to 70C
Operating Temperature Classification COMMERCIALC
Packaging Rail/Tube
Rad Hardened No
Supply Current 60
Sync/Async Asynchronous
Word Size 8(b)
Вес, г 8.77

Техническая документация

Datasheet
pdf, 716 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем