IRFD9210PBF, Транзистор полевой P-канальный 200В 0.4А 1.3Вт, 3.0 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 16 шт. —
150 руб.
от 31 шт. —
134 руб.
от 62 шт. —
128 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 540 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 200В 0.4А 1.3Вт, 3.0 Ом
Технические параметры
| Корпус | DIP-4 | |
| Id - непрерывный ток утечки | 400 mA | |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W | |
| Qg - заряд затвора | 8.9 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Высота | 3.37 mm | |
| Длина | 6.29 mm | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | P-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 2500 | |
| Серия | IRFD | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
| Упаковка | Tube | |
| Упаковка / блок | HVMDIP-4 | |
| Ширина | 5 mm | |
| Base Product Number | IRFD9210 -> | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 400mA (Ta) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ECCN | EAR99 | |
| FET Type | P-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 10V | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
| Package | Tube | |
| Package / Case | 4-DIP (0.300"", 7.62mm) | |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 240mA, 10V | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| Вес, г | 0.7 |
Техническая документация
Datasheet IRFD9210PBF
pdf, 792 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
