NTR4501NT1G, Транзистор полевой N-канальный 20В 3.2А 1.25Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

32 руб.

Мин. кол-во для заказа 15 шт.

от 76 шт. — 26 руб.

от 152 шт. — 23 руб.

от 304 шт. — 22 руб.

Добавить в корзину 15 шт. на сумму 480 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8547751276

Артикул: NTR4501NT1G

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 20В 3.2А 1.25Вт

Корпус	sot-23
Brand	ON Semiconductor
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	3000
Fall Time	12 ns
Forward Transconductance - Min	9 S
Height	0.94 mm
Id - Continuous Drain Current	3.2 A
Length	2.9 mm
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	SOT-23-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	1.25 W
Product	MOSFET Small Signal
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	85 mOhms
Rise Time	12 ns
RoHS	Details
Series	NTR4501
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	12 ns
Typical Turn-On Delay Time	6.5 ns
Unit Weight	0.050717 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Vgs - Gate-Source Voltage	12 V
Width	1.3 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	3.2 A
Maximum Drain Source Resistance	80 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Maximum Gate Source Voltage	-12 V, +12 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1.2V
Maximum Power Dissipation	1.25 W
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	2.4 nC @ 4.5 V
Вес, г	0.05