STP200NF03, Транзистор полевой N-канальный 30В 120A

Фото 1/2 STP200NF03, Транзистор полевой N-канальный 30В 120A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
30 шт. со склада г.Москва, срок 8 дней
91 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 8 шт.85 руб.
от 16 шт.77 руб.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 546 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8564579242
Артикул: STP200NF03
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 30В 120A

Технические параметры

Корпус TO-220AB
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A) 120
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 3.6@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 30
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 4
Maximum IDSS (uA) 1
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 300000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tube
Part Status NRND
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Process Technology StripFET III
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO
Supplier Package TO-220AB
Supplier Temperature Grade Industrial
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 60
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 113
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 113@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 4950@25V
Typical Rise Time (ns) 195
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 75
Typical Turn-On Delay Time (ns) 30
Вес, г 3.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 440 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.