SPW24N60C3FKSA1, Транзистор, N-канальный, 24.3 А, 650 В, 0.14 Ом, 10 В, 3 В, [TO-247]
![Фото 1/4 SPW24N60C3FKSA1, Транзистор, N-канальный, 24.3 А, 650 В, 0.14 Ом, 10 В, 3 В, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 070 руб.
от 15 шт. —
1 040 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 070 руб.
Описание
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 24.3 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.16 Ом/15.4А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 240 | |
| Крутизна характеристики, S | 24 | |
| Корпус | PG-TO247 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.9 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 807 КБ
Datasheet SPW24N60C3
pdf, 805 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
