BCR505E6327, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.33 Вт, 100 МГц, 2.2 кОм+10 кОм

BCR505E6327, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.33 Вт, 100 МГц, 2.2 кОм+10 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
66 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 39 шт.53 руб.
от 78 шт.49 руб.
от 156 шт.46 руб.
Добавить в корзину 7 шт. на сумму 462 руб.
Номенклатурный номер: 8590752535
Артикул: BCR505E6327

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.33 Вт, 100 МГц, 2.2 кОм+10 кОм

Технические параметры

Корпус sot-23
Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 500 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 70
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Manufacturer: Infineon
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23-3
Part # Aliases: SP000010841 BCR55E6327XT BCR505E6327HTSA1
Peak DC Collector Current: 500 mA
Product Category: Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Qualification: AEC-Q101
Series: BCR505
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Typical Input Resistor: 2.2 kOhms
Typical Resistor Ratio: 0.22
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet BCR 505 E6327
pdf, 523 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов