TIP32AG, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 3 А, 40 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 24 шт. —
93 руб.
от 50 шт. —
86 руб.
от 100 шт. —
82 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 3 А, 40 Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| EU RoHS | Compliant with Exemption | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| Part Status | Active | |
| HTS | 8541.29.00.95 | |
| PCB changed | 3 | |
| Package Height | 9.28(Max) | |
| Mounting | Through Hole | |
| Lead Shape | Through Hole | |
| Tab | Tab | |
| Package Width | 4.83(Max) | |
| Package Length | 10.53(Max) | |
| Type | PNP | |
| Product Category | Bipolar Power | |
| Material | Si | |
| Configuration | Single | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 | |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 | |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 | |
| Maximum Base Current (A) | 1 | |
| Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 150 | |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@375mA@3A | |
| Maximum DC Collector Current (A) | 3 | |
| Minimum DC Current Gain | 25@1A@4V|10@3A@4V | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 | |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 3(Min) | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Packaging | Tube | |
| Automotive | Yes | |
| Supplier Package | TO-220AB | |
| Pin Count | 3 | |
| Standard Package Name | TO-220 | |
| Military | No | |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Высота | 15.75 mm | |
| Длина | 10.53 mm | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A | |
| Минимальная рабочая температура | 65 C | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A | |
| Подкатегория | Transistors | |
| Полярность транзистора | PNP | |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz | |
| Размер фабричной упаковки | 50 | |
| Серия | TIP32A | |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Торговая марка | ON Semiconductor | |
| Упаковка | Tube | |
| Упаковка / блок | TO-220-3 | |
| Ширина | 4.83 mm | |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V | |
| Maximum DC Collector Current | -3 A | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 40 W | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Type | PNP | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
