Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала ...

IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

90 руб.

от 25 шт. — 72 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 90 руб.

Посмотреть аналоги1

Номенклатурный номер: 9000617720

Артикул: IRF7301TRPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Описание Транзистор полевой IRF7301TRPBF производства INFINEON – это высококачественный компонент для современной электроники. Монтаж данной модели осуществляется с использованием SMD-технологии, что обеспечивает удобство в интеграции на печатные платы. Ток стока достигает 5,2 А, что подходит для широкого спектра применений. Напряжение сток-исток составляет 20 В, а мощность — 2 Вт, обеспечивая надёжность в работе устройства. Тип N-MOSFET указывает на использование N-канального металло-оксидного полупроводника, что является стандартом для компонентов подобного класса. Корпус SO8 идеально подходит для компактных схем. При выборе компонента стоит учитывать, что IRF7301TRPBF отличается высокой производительностью и долговечностью. Приобретая этот транзистор, вы получаете надёжный элемент для вашей электронной аппаратуры. Код для поиска на сайте: IRF7301TRPBF. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	5.2
Напряжение сток-исток, В	20
Мощность, Вт	2
Корпус	SO8

Технические параметры

Структура	2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	5.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.04 Ом/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	8.3
Корпус	SOIC-8
Пороговое напряжение на затворе	0.7
Вес, г	0.15