IRG4BC40WPBF

PartNumber: IRG4BC40WPBF
Ном. номер: 8600951735
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRG4BC40WPBF
Фото 2/3 IRG4BC40WPBFФото 3/3 IRG4BC40WPBF
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 рабочих дней.
180 × = 360
Минимальное количество для заказа 2 шт.
от 10 шт. — 95 руб.
от 50 шт. — 71.21 руб.
Есть аналоги

Описание

The IRG4BC40WPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor designed expressly for switch-mode power supply and PFC (power factor correction) applications. The latest-generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution, exceptional reliability. It features lower switching losses allow more cost-effective operation than power MOSFETs up to 150kHz (hard switched mode). Low conduction losses and minimal minority-carrier recombination make these an excellent option for resonant mode switching as well (up to >300kHz).

• Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies
• 50% Reduction of Eoff parameter
• Low IGBT conduction losses
• Particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Корпус: TO-220AB, инфо: IGBT 600V 40A 160W TO220AB

Дополнительная информация

Datasheet IRG4BC40WPBF
IRG4BC40WPBF Data Sheet IRG4BC40WPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов