FQPF3N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 3А [TO-220F]
![Фото 1/6 FQPF3N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 3А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412892.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
от 15 шт. —
140 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 180 руб.
Описание
МОП-транзистор 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.8 Ом/1.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 39 | |
| Корпус | TO-220F | |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
