PBSS4350X,115, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 3 А, 0.55W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1741 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
19 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
от 74 шт. —
16 руб.
от 147 шт. —
15 руб.
от 293 шт. —
14 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 475 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 3 А, 0.55W
Технические параметры
| Корпус | SOT-89-3 | |
| Base Product Number | PBSS4350 -> | |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A | |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V | |
| ECCN | EAR99 | |
| Frequency - Transition | 100MHz | |
| HTSUS | 8541.29.0075 | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) | |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
| Package / Case | TO-243AA | |
| Power - Max | 1.6W | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | SOT-89 | |
| Transistor Type | NPN | |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 370mV @ 300mA, 3A | |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V | |
| Pd - рассеивание мощности: | 1600 mW | |
| Вид монтажа: | SMD/SMT | |
| Высота: | 1.6 mm | |
| Длина: | 4.6 mm | |
| Другие названия товара №: | 934055628115 | |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT | |
| Квалификация: | AEC-Q101 | |
| Конфигурация: | Single | |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C | |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 3 A | |
| Минимальная рабочая температура: | - 65 C | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 50 V | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 50 V | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V | |
| Подкатегория: | Transistors | |
| Полярность транзистора: | NPN | |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 100 MHz | |
| Производитель: | Nexperia | |
| Размер фабричной упаковки: | 1000 | |
| Технология: | Si | |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Торговая марка: | Nexperia | |
| Упаковка / блок: | SOT-89-3 | |
| Ширина: | 2.6 mm | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V | |
| Maximum DC Collector Current | 3A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.6W | |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W | |
| Minimum DC Current Gain | 300 | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | UPAK | |
| Pin Count | 4 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Вес, г | 0.097 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
