STP55NF06FP

PartNumber: STP55NF06FP
Ном. номер: 8672206264
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STP55NF06FP
Фото 2/3 STP55NF06FPФото 3/3 STP55NF06FP
Доступно на заказ более 70 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
65 руб. × = 260 руб.
Минимальное количество для заказа 4 шт.
от 50 шт. — 28 руб.
от 150 шт. — 20.85 руб.
Есть аналоги

Описание

The STP55NF06FP is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique STripFET process. It is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. The device is suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DCDC converters for telecom and computer applications and applications with low gate charge driving requirements.

• 100% Avalanche tested
• Exceptional dV/dt capability
• -55 to 175°C Operating junction temperature range

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-220F, инфо: N-CHANNEL 60V - 0.015 OHM - 50A STRIPFET II POWER MOSFET

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10.4 x 4.6 x 9.3mm
высота
9.3mm
длина
10.4mm
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Resistance
0.018 Ω
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
30 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220FP
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
44.5 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1300 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
36 ns
Typical Turn-On Delay Time
20 ns
ширина
4.6mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

Datasheet STP55NF06FP
STB55NF06 STB55NF06-1 STP55NF06 STP55NF06FP STripFET II POWER MOSFET Data Sheet STP55NF06FP
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов