STP55NF06FP

Фото 1/3 STP55NF06FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
400 руб.
от 2 шт.300 руб.
от 5 шт.232 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 400 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001947139
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 35А, 30Вт, TO220FP

Технические параметры

Brand STMicroelectronics
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 50
Fall Time 15 ns
Forward Transconductance - Min 18 S
Id - Continuous Drain Current 50 A
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 30 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 44.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 15 mOhms
Rise Time 50 ns
RoHS Details
Series N-channel STripFET
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 36 ns
Unit Weight 0.071959 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Fall Time: 15 ns
Forward Transconductance - Min: 18 S
Id - Continuous Drain Current: 50 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 30 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 44.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 15 mOhms
Rise Time: 50 ns
Series: STP55NF06FP
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: STripFET
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Type: MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 36 ns
Typical Turn-On Delay Time: 20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Вес, г 3.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 793 КБ
Datasheet
pdf, 778 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.