IPP111N15N3 G, TO-220

PartNumber: IPP111N15N3 G
Ном. номер: 8676216596
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IPP111N15N3 G, TO-220
Фото 2/2 IPP111N15N3 G, TO-220
Есть в наличии 1 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 3 дня.
860 руб. × = 860 руб.

Описание

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Транзисторы полевые импортные

Технические параметры

Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
83
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
10.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
214
Крутизна характеристики S,А/В
94
Температура, С
-55...+175
Корпус
TO220-3

Дополнительная информация

IPB108N15N3 G, IPP111N15N3 G, IPI111N15N3 G, OptiMOS3 Power MOSFET Transistor