STN3P6F6

PartNumber: STN3P6F6
Ном. номер: 8681269614
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STN3P6F6
Фото 2/3 STN3P6F6Фото 3/3 STN3P6F6
Доступно на заказ 185 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
82 руб. × = 492 руб.
Минимальное количество для заказа 6 шт.
от 50 шт. — 39 руб.
Есть аналоги

Описание

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: SOT-223, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 60 В

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
конфигурация
Single
Dimensions
6.7 x 3.7 x 1.8mm
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Resistance
0.16 Ω
Maximum Drain Source Voltage
-60 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
2.6 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements per Chip
1
Package Type
SOT-223
Pin Count
4
Typical Gate Charge @ Vgs
6.4 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
340 pF@ 48 V
Typical Turn-Off Delay Time
14 ns
Typical Turn-On Delay Time
6.4 ns
Width
3.7mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
высота
1.8mm
длина
6.7mm
Mounting Type
Surface Mount

Дополнительная информация

Datasheet STN3P6F6
STN3P6F6, P-Channel 60V, 0.13 Ohm typ., 3A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a SOT-223 Package