IRG7PH46U-EP, IGBT 1200В 75А TO247AD

PartNumber: IRG7PH46U-EP
Ном. номер: 8711314889
Производитель: Infineon Technologies
IRG7PH46U-EP, IGBT 1200В 75А TO247AD
Есть в наличии 2 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 3 дня.
620 руб. × = 620 руб.

Описание

Single IGBT over 21A, International Rectifier
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. Utilising FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBT's

IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

IGBT транзисторы

Технические параметры

Максимальное напряжение кэ ,В
1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
130
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A
75
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.7
Максимальная частота переключения, кГц
40
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением
n-канал
Мощность макс.,Вт
469
Управляющее напряжение,В
6
Температурный диапазон,С
-55...175
Корпус
TO247AD

Дополнительная информация

IRG7PH46UPbF, IRG7PH46U-EP, Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) IRG7PH46U-EP