BC856BWT1G, Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.15Вт

Фото 1/2 BC856BWT1G, Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.15Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 руб.
Мин. кол-во для заказа 87 шт.
от 1656 шт.4 руб.
от 3000 шт.3.30 руб.
от 9000 шт.2.90 руб.
Добавить в корзину 87 шт. на сумму 522 руб.
Номенклатурный номер: 8726302355

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.15Вт

Технические параметры

Корпус sot-323
Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Material Si
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA
Maximum Collector Base Voltage (V) 80
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 15
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 65
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 150
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum DC Current Gain 220@2mA@5V
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 150
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Bipolar Small Signal
Standard Package Name SOT
Supplier Package SC-70
Type PNP
Вес, г 0.017

Техническая документация

Datasheet
pdf, 228 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов