BC856BWT1G

PartNumber: BC856BWT1G
Ном. номер: 8726302355
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 BC856BWT1G
Фото 2/3 BC856BWT1GФото 3/3 BC856BWT1G
Доступно на заказ более 800 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
6 руб. × = 270 руб.
Минимальное количество для заказа 45 шт.
от 3000 шт. — 2 руб.

Описание

The BC856BWT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in a package which is designed for low power surface-mount applications.

• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Корпус: SOT-323, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А

Технические параметры

конфигурация
Single
размеры
2.2 x 1.35 x 0.9mm
высота
0.9mm
длина
2.2mm
Maximum Collector Base Voltage
-80 V
Maximum Collector Emitter Voltage
-65 V
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
150 mW
Minimum Operating Temperature
-50 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SC-70
Pin Count
3
ширина
1.35mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-0.9 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-0.65 V
Minimum DC Current Gain
220
Transistor Type
PNP

Дополнительная информация

BC856BWT1, SBC856BWT1 Series, BC857BWT1, SBC857BWT1 Series, BC858AWT1 Series, General Purpose Transistors (PNP Silicon) Data Sheet BC856BWT1G
Datasheet BC856BWT1G