CM600DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 600A 5 поколение NF серия

Фото 1/3 CM600DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 600A 5 поколение NF серия
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
21 670 руб.
18 300 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 18 300 руб.
Номенклатурный номер: 8733536687
Артикул: CM600DY-12NF
Страна происхождения: ЯПОНИЯ
Бренд / Производитель: Mitsubishi

Описание

IGBT модули
IGBT модули серии NF представляют 5-ое поколение модулей Mitsubishi. Они предназначены для высоковольтной коммутации в составе силовых приводов асинхронных двигателей и высокочастотных преобразователей. Применяемые для их создания усовершенствованные технологии позволяют получить низкие напряжения насыщения и высокую скорость переключения, необходимые для функционирования на частотах до 20 кГц.
5-ое поколение модулей представляет синтез двух передовых технологий: технологии изготовления кристалла CSTBT и LPT пластины.

Отличительные особенности NF-модулей:
- повышенная стойкость к короткому замыканию,
- малая емкость затвора,
- низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер,
- стандартный корпус (аналог популярной H-серии),
- устойчивость к коротким замыканиям,
- улучшенная теплопроводность подложки из AlN,
- внутренняя индуктивность снижена в два раза по сравнению с H-серией.

Область применения:
- Инверторы
- Системы вторичного электропитания
- Производство электроэнергии; ветро и солнечные электростанции.
- Электросварочное оборудование
- Системы электроприводов

Технические параметры

Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 300
Входная емкость затвора,нФ 90
Драйвер управления VLA500
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Защита по току нет
Макс.напр.к-э,В 600
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 1130
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 6
Максимальный ток эмиттера, А 1200
Напряжение изоляции, В 2500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.7
Напряжение эмиттер-коллектор,В 1.7
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «IGBT модули»