IRF740ASPBF, транзистор N канал 400В 10А D2Pak
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
Кратность заказа 2 шт.
от 100 шт. —
210 руб.
от 400 шт. —
204 руб.
от 700 шт. —
203.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 480 руб.
Номенклатурный номер: 8770891419
Артикул: IRF740ASPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Описание
транзисторы полевые импортные
MOSFET, N, 400V, 10A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:125W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:10A; Junction to Case Thermal Resistance A:1°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:550mohm; Operating Temperature Min:-55°C; Pulse Current Idm:40A; Voltage Vds:400V; Voltage Vds Typ:400V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
Технические параметры
| Структура | n-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 | |
| Корпус | d2pak | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 4.9 | |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 550 | |
| Температура, С | -55…+150 | |
| Brand | Vishay Semiconductors | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Fall Time | 22 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 4.9 S | |
| Height | 4.83 mm | |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A | |
| Length | 10.67 mm | |
| Manufacturer | Vishay | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-263AB-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Pd - Power Dissipation | 3.1 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms | |
| Rise Time | 35 ns | |
| RoHS | Details | |
| Series | IRF/SIHF740Ax | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns | |
| Unit Weight | 0.050717 oz | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
| Width | 9.65 mm | |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
