IRF740ASPBF, транзистор N канал 400В 10А D2Pak

Фото 1/2 IRF740ASPBF, транзистор N канал 400В 10А D2Pak
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
240 руб.
Кратность заказа 2 шт.
от 100 шт.210 руб.
от 400 шт.205 руб.
от 700 шт.204.52 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 480 руб.
Номенклатурный номер: 8770891419
Артикул: IRF740ASPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

транзисторы полевые импортные
MOSFET, N, 400V, 10A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:125W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:10A; Junction to Case Thermal Resistance A:1°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:550mohm; Operating Temperature Min:-55°C; Pulse Current Idm:40A; Voltage Vds:400V; Voltage Vds Typ:400V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V

Технические параметры

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Корпус d2pak
Крутизна характеристики S,А/В 4.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 550
Температура, С -55…+150
Brand Vishay Semiconductors
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 1000
Fall Time 22 ns
Forward Transconductance - Min 4.9 S
Height 4.83 mm
Id - Continuous Drain Current 10 A
Length 10.67 mm
Manufacturer Vishay
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-263AB-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 3.1 W
Product Category MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 550 mOhms
Rise Time 35 ns
RoHS Details
Series IRF/SIHF740Ax
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 24 ns
Typical Turn-On Delay Time 10 ns
Unit Weight 0.050717 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 400 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Width 9.65 mm

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов