IRF3415SPBF

Фото 2/5 IRF3415SPBFФото 3/5 IRF3415SPBFФото 4/5 IRF3415SPBFФото 5/5 IRF3415SPBF
Фото 1/5 IRF3415SPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
17 шт. со склада г.Москва, срок 6 рабочих дней
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 15 шт.82 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 340 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8796908720
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: D2PAK, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 43 А

MOSFET, N, 150V, 43A, D2-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 150V Current, Id Cont 43A Resistance, Rds On 0.042ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style D2-PAK Termination Type SMD Alternate Case Style D2-PAK Current, Idm Pulse 150A Power Dissipation 200W Power Dissipation, on 1 Sq. PCB 3.8W Power, Pd 200W SMD Marking IRF3415S Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 0.75°C/W Voltage, Vds 150V Voltage, Vds Max 150V Voltage, Vgs th Max 4V
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 43 А, Сопротивление открытого канала (мин) 42 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 43 А
Тип корпуса D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности 3,8 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Высота 4.83мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 12 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 71 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 42 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 150 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 200 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 2400 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 1.35

Техническая документация

IRF3415SPBF Datasheet
pdf, 1066 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах