Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › PMBF170,215, Транзистор полевой N-канальный ...

PMBF170,215, Транзистор полевой N-канальный 60В 300мА, 0.83Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2953 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели

12 руб.

Мин. кол-во для заказа 39 шт.

от 200 шт. — 9 руб.

от 399 шт. — 7.80 руб.

от 798 шт. — 6.90 руб.

Добавить в корзину 39 шт. на сумму 468 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8810813892

Артикул: PMBF170,215

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 60В 300мА, 0.83Вт

Технические параметры

Корпус	sot-23
Id - непрерывный ток утечки	300 mA
Pd - рассеивание мощности	830 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3 mm
Другие названия товара №	933966340215
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	100 mS
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	65 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel MOSFET
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Base Product Number	PMBF170 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
HTSUS	8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	40pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max)	830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5Ohm @ 500mA, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	TrenchMOSв„ў ->
Supplier Device Package	TO-236AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	300mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	830mW
Rds On - Drain-Source Resistance	5О© @ 500mA,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60V
Vgs - Gate-Source Voltage	2V @ 1mA
кол-во в упаковке	3000
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	300 mA
Maximum Drain Source Resistance	5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	830 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Width	1.4mm
Вес, г	0.05