MBT3946DW1T1G, Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.2 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 66 шт.
от 181 шт. —
6 руб.
от 361 шт. —
4.90 руб.
от 721 шт. —
4.60 руб.
Добавить в корзину 66 шт.
на сумму 462 руб.
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки биполярных транзисторов
Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.2 А
Технические параметры
Корпус | SOT363-6 | |
Collector Current (Ic) | 200mA | |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | - | |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@50mA, 5mA;400mV@50mA, 5mA | |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V | |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
Power Dissipation (Pd) | 150mW | |
Transistor Type | NPN+PNP | |
Transition Frequency (fT) | 300MHz;250MHz | |
Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 169 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов