MBT3946DW1T1G, Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.2 А

Фото 1/2 MBT3946DW1T1G, Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.2 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 66 шт.
от 181 шт.6 руб.
от 361 шт.4.90 руб.
от 721 шт.4.60 руб.
Добавить в корзину 66 шт. на сумму 462 руб.
Номенклатурный номер: 8812475642
Артикул: MBT3946DW1T1G

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки биполярных транзисторов
Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.2 А

Технические параметры

Корпус SOT363-6
Collector Current (Ic) 200mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) -
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 40V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 300mV@50mA, 5mA;400mV@50mA, 5mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@10mA, 1V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 150mW
Transistor Type NPN+PNP
Transition Frequency (fT) 300MHz;250MHz
Вес, г 0.2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 169 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов