IRFI640GPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.8А [TO-220FP]
![Фото 1/8 IRFI640GPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.8А [TO-220FP]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412892.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
330 руб.
от 15 шт. —
260 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 330 руб.
Описание
МОП-транзистор 200V N-CH HEXFET
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.9 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.4 Ом/3.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 | |
| Крутизна характеристики, S | 3.2 | |
| Корпус | TO-220FP | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1800 КБ
Datasheet
pdf, 1800 КБ
Datasheet IRFI640GPBF
pdf, 1804 КБ
IRFI640GPBF
pdf, 1805 КБ
Документация
pdf, 1805 КБ
Datasheet IRFI640G
pdf, 961 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
