STP140NF75, Транзистор полевой N-канальный 75В 120A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
89 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
330 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 9 шт. —
270 руб.
от 18 шт. —
252 руб.
от 35 шт. —
241 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 660 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 75В 120A
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 310 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | STripFET II | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| Width | 4.6mm | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
| Fall Time: | 90 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 160 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | TO-220-3 | |
| Packaging: | Tube | |
| Pd - Power Dissipation: | 310 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 218 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 mOhms | |
| Rise Time: | 140 ns | |
| Series: | STP140NF75 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Type: | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 130 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 75 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
