IRF5802TRPBF

PartNumber: IRF5802TRPBF
Ном. номер: 8882773789
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRF5802TRPBF
Фото 2/4 IRF5802TRPBFФото 3/4 IRF5802TRPBFФото 4/4 IRF5802TRPBF
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
38 руб. × = 266 руб.
Минимальное количество для заказа 7 шт.
от 100 шт. — 14 руб.

Описание

The IRF5802TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters, DC switches and load switch.

• Fully characterized avalanche voltage and current
• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Halogen-free

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TSOP6, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 0.9 А, 2 Вт

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Quad Drain, Single
размеры
3 x 1.5 x 0.9mm
высота
0.9mm
длина
3mm
Maximum Continuous Drain Current
0.9 A
Maximum Drain Source Resistance
1.2 Ω
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
2 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TSOP
Pin Count
6
Typical Gate Charge @ Vgs
4.5 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
88 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
7.5 ns
Typical Turn-On Delay Time
6 ns
ширина
1.5mm
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V

Дополнительная информация

Datasheet IRF5802TRPBF
IRF5802 HEXFET® Power MOSFET Data Sheet