Мой регион:
Режим цен:


PartNumber: IRF7313TRPBF
Ном. номер: 8887362461
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRF7313TRPBF
Фото 2/2 IRF7313TRPBF
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 рабочих дней.
47 × = 282
Минимальное количество для заказа 6 шт.
от 200 шт. — 20 руб.
от 1000 шт. — 17.32 руб.
Есть аналоги


The IRF7313TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Fully avalanche rated

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Корпус: SO8, инфо: MOSFET N-канал 30В/ 6.5А/2Вт/0.029 Ом Упр.лог.уровнем Сдвоенные

Дополнительная информация

Datasheet IRF7313TRPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов