IRFZ44ESPBF

PartNumber: IRFZ44ESPBF
Ном. номер: 8890213372
Производитель: Infineon Technologies
IRFZ44ESPBF
Доступно на заказ 151 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
320 руб. × = 640 руб.
Минимальное количество для заказа 2 шт.
от 10 шт. — 190 руб.
от 50 шт. — 144.10 руб.

Описание

MOSFETs
Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: D2PAK/TO263, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 48 А, 110 Вт

Технические параметры

EU RoHS
Compliant
Product Category
Power MOSFET
Configuration
Single
Technology
HEXFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Material
Si
Maximum Drain Source Voltage (V)
60
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Continuous Drain Current (A)
48
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
23@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
60(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
60(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
1360@25V
Maximum Power Dissipation (mW)
110000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Packaging
Tube
Typical Turn-On Delay Time (ns)
12
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
70
Typical Fall Time (ns)
70
Typical Rise Time (ns)
60
Mounting
Surface Mount
Package Height (mm)
4.83(Max)
Package Length (mm)
10.67(Max)
Package Width (mm)
9.65(Max)
PCB changed
2
Tab
Tab
Standard Package Name
TO-263
Supplier Package
D2PAK
Pin Count
3
Lead Shape
Gull-wing