MJD45H11T4, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6596 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
67 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 80 шт. —
54 руб.
от 160 шт. —
51 руб.
от 320 шт. —
46 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 469 руб.
Альтернативные предложения4
Посмотреть аналоги17
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20 Вт
Технические параметры
| Корпус | DPAK/TO-252AA | |
| кол-во в упаковке | 2500 | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V | |
| Configuration: | Single | |
| Continuous Collector Current: | 8 A | |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 60 | |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum DC Collector Current: | 8 A | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Package / Case: | TO-252-3 | |
| Pd - Power Dissipation: | 20 W | |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT | |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors | |
| Series: | MJD45H11 | |
| Subcategory: | Transistors | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | PNP | |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V | |
| Maximum DC Collector Current | -8 A | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 20 W | |
| Minimum DC Current Gain | 40 | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | DPAK(TO-252) | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Type | PNP | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V | |
| Configuration | Single | |
| Continuous Collector Current | 8 A | |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 60 | |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | |
| Factory Pack Quantity | 2500 | |
| Height | 2.4 mm(Max) | |
| Length | 6.6 mm(Max) | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Package / Case | TO-252-3 | |
| Packaging | Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 20 W | |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT | |
| RoHS | Details | |
| Series | MJD45H11T4 | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Unit Weight | 0.063493 oz | |
| Width | 6.2 mm(Max) | |
| Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 288 КБ
Datasheet MJD45H11T4
pdf, 395 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
