NTJD4001NT1G, Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 0.25 А, 0.272 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

51 руб.

Мин. кол-во для заказа 10 шт.

от 104 шт. — 40 руб.

от 208 шт. — 38 руб.

от 416 шт. — 34 руб.

Добавить в корзину 10 шт. на сумму 510 руб.

Номенклатурный номер: 8917534162

Артикул: NTJD4001NT1G

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов

Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 0.25 А, 0.272 Вт

Корпус	sc70-6
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	250 mA
Maximum Drain Source Resistance	2.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	2.72 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	SOT-363
Pin Count	6
Transistor Configuration	Isolated
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	0.9 nC @ 5 V
Width	1.35mm
Continuous Drain Current (Id)	250mA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	1.5Ω@4V, 10mA
Drain Source Voltage (Vdss)	30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	1.5V@100uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	33pF@5V
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)	272mW
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	1.3nC@5V
Type	2 N-Channel
Вес, г	0.07

pdf, 194 КБ

Мы рекомендуем