STGW20V60DF

PartNumber: STGW20V60DF
Ном. номер: 8919623843
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STGW20V60DF
Фото 2/2 STGW20V60DF
Доступно на заказ 8 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
350 руб. × = 350 руб.

Описание

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Корпус: TO-247, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
40 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
167 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип корпуса
TO-247
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Ширина
5.15mm
Высота
20.15мм
Длина
15.75mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IGBT Trench gate, 600V 20A/100 deg, TO247 Data Sheet STGW20V60DF