Мой регион: Россия

BDX53C

Ном. номер: 8930248878
PartNumber: BDX53C
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 BDX53C
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 BDX53C
39 руб.
1950 шт. со склада г.Москва,
срок 4 рабочих дня
от 50 шт. — 25 руб.
от 150 шт. — 21 руб.
Мин. кол-во для заказа 16 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
18 руб. 2793 шт. 1 шт. 224 шт.
от 400 шт. — 15.40 руб.
17 руб. 1-2 недели, 400 шт. 50 шт. 50 шт.
110 руб. 2-3 недели, 7684 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 87 руб.
от 100 шт. — 62 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Корпус: TO-220AB, инфо: Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 60 Вт

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2,5 В
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальный запирающий ток коллектора
0.2mA
Производитель
STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
8 A
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
4.6мм
Тип транзистора
NPN
Высота
9.15мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
750

Техническая документация

BDX53C datasheet
pdf, 172 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.