STP45NF06, Транзистор полевой N-канальный 60В 38А 80Вт, 0.028 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
523 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
69 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 22 шт. —
60 руб.
от 50 шт. —
57 руб.
от 100 шт. —
54 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 483 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 38А 80Вт, 0.028 Ом
Технические параметры
Корпус | to-220 | |
Brand | STMicroelectronics | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Fall Time | 10 ns | |
Forward Transconductance - Min | 18 S | |
Height | 9.15 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 38 A | |
Length | 10.4 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +175 C | |
Minimum Operating Temperature | -65 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 80 W | |
Product Category | MOSFET | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 28 mOhms | |
Rise Time | 40 ns | |
RoHS | Details | |
Series | N-channel STripFET | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Type | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time | 28 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 12 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
Width | 4.6 mm | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Fall Time: | 10 ns | |
Forward Transconductance - Min: | 18 S | |
Id - Continuous Drain Current: | 38 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
Minimum Operating Temperature: | -65 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | TO-220-3 | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 80 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms | |
Rise Time: | 40 ns | |
Series: | STP45NF06 | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | STripFET | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Type: | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 672 КБ
Datasheet STP45NF06
pdf, 687 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.