IRLR7843TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 30В 161A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

130 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 98 шт. — 110 руб.

от 195 шт. — 97 руб.

от 389 шт. — 95 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 520 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8941543048

Артикул: IRLR7843TRPBF

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 30В 161A

Корпус	DPAK/TO-252AA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	161A(Tc)
Pd - Power Dissipation	140W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance	3.3 mО© @ 15A,10V
Transistor Polarity	N Trench
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30V
Vgs - Gate-Source Voltage	2.3V @ 250uA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	161 A
Maximum Drain Source Resistance	4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.3V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	140 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1.4V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	34 nC @ 4.5 V
Width	6.22mm
Вес, г	0.4