PartNumber: IRG4BC20UDPBF
Ном. номер: 8979898319
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRG4BC20UDPBF
Фото 2/2 IRG4BC20UDPBF
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 рабочих дней.
170 × = 340
Минимальное количество для заказа 2 шт.
от 10 шт. — 90 руб.
от 50 шт. — 67.43 руб.
Есть аналоги


The IRG4BC20UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for high operating frequencies 8 to 40kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED® ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.

• Optimized for specific application conditions
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Корпус: TO-220AB, инфо: IGBT 600В/6.5A/60Вт/Uкэ(нас)=2.1В 10-75кГц Диод

Техническая документация

IRG4BC20UDPBF Datasheet
pdf, 371 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG4BC20UDPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов