Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ST Microelectronics › BD139-16, Биполярный транзистор NPN 80В 1.5А ...

BD139-16, Биполярный транзистор NPN 80В 1.5А SOT32-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

990 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней

41 руб.

от 50 шт. — 15 руб.

от 200 шт. — 14 руб.

от 350 шт. — 13.71 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 41 руб.

Альтернативные предложения2

Посмотреть аналоги2

Номенклатурный номер: 8572718816

Артикул: BD139-16

Бренд: STMicroelectronics

Описание

транзисторы биполярные импортные

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	1.5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	12.5
Корпус	SOT-32
Hfe при напряжении к-э, В	2
Hfe при токе коллектора, А	0.5
Диапазон рабочих температур, оС	-65…150
Статический коэффициент передачи тока hfe мин	25
кол-во в упаковке	2000
Brand	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V
Configuration	Single
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	2000
Height	10.8 mm
Length	7.8 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current	1.5 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	SOT-32-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	1250 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	BD139
Transistor Polarity	NPN
Width	2.7 mm
Brand:	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO:	80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	500 mV
Configuration:	Single
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2000
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current:	1.5 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	SOT-32-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	1.25 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	BD139
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	80 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Power Dissipation	1.25 W
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-32
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN