IXA37IF1200HJ, IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 900 руб.
от 10 шт. —
3 280 руб.
от 30 шт. —
2 640 руб.
от 60 шт. —
2 362.31 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 900 руб.
Описание
Описание Транзистор БТИЗ, 1200В 58A 195Вт TO247-Isoplus Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 58 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 195 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | ISOPLUS247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Case | PLUS247™ |
| Collector current | 37A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 106nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 195W |
| Pulsed collector current | 105A |
| Technology | Planar, Sonic FRD™, XPT™ |
| Turn-off time | 350ns |
| Turn-on time | 110ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 4.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
