Мой регион: Россия

STPSC6H12B-TR1 (Шоттки1200V 6A 1.55V)

Ном. номер: 9000360686
PartNumber: STPSC6H12B-TR1
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STPSC6H12B-TR1 (Шоттки1200V 6A 1.55V)
Фото 2/2 STPSC6H12B-TR1 (Шоттки1200V 6A 1.55V)
680 руб.
2395 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 5 шт. — 557 руб.
от 10 шт. — 499 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 680 руб.

The Schottky Silicon-Carbide Diodes from STMicroelectronics take advantage of SiC's impressive performance over standard Silicon. Offering double or triple the bandgap in comparison to silicon means that SIC devices can tolerate much higher voltages and electric fields. The low reverse recovery characteristics increase efficiency in all systems thanks to their low forward voltage and make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings. These savings are found in SMPS applications as well as solar energy conversion, EV or HEV charging stations, and many more. The product ranges from 600V to 1200Vin through hole and SMD packages.

Технические параметры

Вес, г
0.66

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet STPSC6H12B-TR1 (Шоттки1200V 6A 1.55V) STPSC6H12B-TR1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.