2N3705, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 800 мА, 625 мВт, TO-92, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10720 шт., срок 8-10 недель
56 руб.
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
32 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 2 800 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
The 2N3705 is a NPN silicon epitaxial planer Bipolar Transistor with 50V collector base voltage and 5V emitter base voltage.
• -55 to 150°C Operating junction temperature range
• Multicomp Pro products are rated 4.6 out of 5 stars
• 12 month limited warranty *view Terms & Conditions for details
• 96% of customers would recommend to a friend
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 30В |
Continuous Collector Current | 800мА |
DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
Power Dissipation | 625мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-92 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 100МГц |
Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
2N3705_1
pdf, 457 КБ
Datasheet 2N3705
pdf, 258 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.