Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP9NK70ZFP

STP9NK70ZFP

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1650 шт. со склада г.Москва, срок 13 дней

44 руб.

Кратность заказа 10 шт.

Добавить в корзину 10 шт. на сумму 440 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8023500859

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы полевые

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 700В, 4,7А, 35Вт, TO220FP Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	7.5 A
Pd - рассеивание мощности	35 W
Qg - заряд затвора	48 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	700 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.75 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	17 ns
Время спада	13 ns
Высота	9.3 mm
Длина	10.4 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	SuperMESH
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	5.3 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STP9NK70ZFP
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	45 ns
Типичное время задержки при включении	22 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220FP-3
Ширина	4.6 mm
Base Product Number	STP9NK70 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	7.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	700V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1370pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)	35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 4A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	SuperMESHв„ў ->
Supplier Device Package	TO-220FP
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100ВµA
Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	13 ns
Forward Transconductance - Min	5.3 S
Height	9.3 mm
Id - Continuous Drain Current	7.5 A
Length	10.4 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	35 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	48 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	1.2 Ohms
Rise Time	17 ns
RoHS	Details
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	45 ns
Typical Turn-On Delay Time	22 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	700 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.75 V
Width	4.6 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	7.5 A
Maximum Drain Source Resistance	1.2 Ω
Maximum Drain Source Voltage	700 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Power Dissipation	35 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220FP
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	48 nC @ 10 V
Вес, г	3