BSC265N10LSFGATMA1
19 шт. со склада г.Москва, срок 4-9 дней
430 руб.
от 2 шт. —
380 руб.
от 10 шт. —
322 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 430 руб.
Номенклатурный номер: 8008536454
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 40A, PG-TDSON-8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:40A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.02ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.85V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Fall Time | 4 ns |
| Forward Transconductance - Min | 21 S |
| Height | 1.27 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 40 A |
| Length | 5.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TDSON-8 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSC265N10LSF BSC265N10LSFGXT G SP000379618 |
| Pd - Power Dissipation | 78 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 21 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 20 mOhms |
| Rise Time | 24 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSC265N10 |
| Technology | Si |
| Tradename | OptiMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Width | 5.15 mm |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
BSC265N10LSFG
pdf, 442 КБ
Документация
pdf, 654 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
