IXFH60N65X2, MOSFET MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 150 руб.
от 10 шт. —
2 640 руб.
от 30 шт. —
2 090 руб.
от 60 шт. —
2 007.27 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 150 руб.
Описание
The IXYS X2 class HiPerFET Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 52 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 780 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 108 nC @ 10 V |
| Width | 5.21mm |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
