STF7N60M2, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 5 А, 0.86 Ом, TO-220FP, Through Hole
2015 шт., срок 8-10 недель
340 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
300 руб.
от 100 шт. —
225 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 720 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
N-канал, 600 В, 5 А (Tc), 20 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-220FP
Технические параметры
| Base Product Number | STF7 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 271pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | MDmeshв„ў II Plus -> |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 950mΩ@10V, 2.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 20W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
