Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IPA50R280CEXKSA2

IPA50R280CEXKSA2

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

530 руб.

от 2 шт. — 420 руб.

от 5 шт. — 350 руб.

от 7 шт. — 328.86 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 530 руб.

Номенклатурный номер: 8001941093

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор полевой N-MOSFET IPA50R280CEXKSA2 от производителя INFINEON выделяется монтажом THT и способен работать при токе стока до 7,5 А. С напряжением сток-исток в 500 В и мощностью 30,4 Вт, этот компонент имеет сопротивление в открытом состоянии всего 0,28 Ом, что обеспечивает высокую эффективность в его области применения. Корпус PG-TO220-3-FP гарантирует удобство монтажа и надежность использования. Модель IPA50R280CEXKSA2, благодаря своим характеристикам, отлично подходит для разработки современных электронных устройств, где требуются компоненты с высокой производительностью и надежностью. Используйте модель IPA50R280CEXKSA2 для ваших проектов, где требуется надежность и эффективность. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	7.5
Напряжение сток-исток, В	500
Мощность, Вт	30.4
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.28
Корпус	PG-TO220-3-FP

Технические параметры

Transistor Polarity	N Channel; Continuous Drain Current Id
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	0.85V
Maximum Continuous Drain Current	13 A
Maximum Drain Source Resistance	280 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	550 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	30.4 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Series	CoolMOS CE
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	32.6 nC @ 10 V
Width	4.9mm
Вес, г	1.95