Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STF5N60M2

STF5N60M2

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

995 шт., срок 8-10 недель

410 руб.

Мин. кол-во для заказа 7 шт.

от 10 шт. — 370 руб.

от 100 шт. — 278 руб.

Добавить в корзину 7 шт. на сумму 2 870 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8013010541

Бренд: STMicroelectronics

Описание

МОП-транзистор N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	3.7 A
Pd - рассеивание мощности	20 W
Qg - заряд затвора	4.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.26 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STF5N60M2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Base Product Number	STF5N60 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	3.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	165pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)	20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 1.85A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	MDmeshв„ў II Plus ->
Supplier Device Package	TO-220FP
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA