IRFR540ZTRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 35А [DPAK]
![Фото 1/6 IRFR540ZTRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 35А [DPAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
от 15 шт. —
145 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Описание
МОП-транзистор MOSFT 100V 35A 28.5mOhm 39nC Qg
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0285 Ом/21А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 91 | |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet IRFR540ZTRPBF
pdf, 355 КБ
Datasheet IRFR540Z, IRFU540Z (Infineon)
pdf, 353 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
