STGD20N45LZAG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
1 010 руб.
от 2 шт. —
890 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 010 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
IGBT, AEC-Q101, 450V, 25A, TO-252; DC Collector Current:25A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):450V; Power Dissipation Pd:125W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.1V; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pin
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Collector Current (DC) | 25(A) |
| Configuration | Single |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | 16(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature (Max) | 175C |
| Operating Temperature (Min) | -55C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | DPAK |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Rad Hardened | No |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 475 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.25 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 25 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 25 A |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 625 uA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -12 V, 16 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 514 КБ
Документация
pdf, 526 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
