SPP11N60C3

Фото 1/2 SPP11N60C3
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1300 шт. со склада г.Москва, срок 6-8 рабочих дней
840 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 840 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9000799926
Страна происхождения: РОССИЯ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 11 A
Тип корпуса TO-220
Максимальное рассеяние мощности 125 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 10.26мм
Высота 4.4мм
Размеры 8.64 x 10.26 x 4.4мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 8.64
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 10 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 44 ns
Серия CoolMOS C3
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage 2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток 380 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 600 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 45 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1200 pF@ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах