BSP149H6327XTSA1, Транзистор N-MOSFET 200В 660мА [SOT-223]

Фото 1/7 BSP149H6327XTSA1, Транзистор N-MOSFET 200В 660мА [SOT-223]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
от 15 шт.102 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
Номенклатурный номер: 9001036255
Артикул: BSP149H6327XTSA1

Описание

МОП-транзистор N-Ch 200V 660mA SOT-223-3

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.66
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.7 Ом/0.07A/0В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.8
Крутизна характеристики, S 0.8
Корпус SOT-223
Вес, г 0.2

Техническая документация

BSP149
pdf, 396 КБ
Datasheet
pdf, 402 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов