BSP149H6327XTSA1, Транзистор N-MOSFET 200В 660мА [SOT-223]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 15 шт. —
102 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.66 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.7 Ом/0.07A/0В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.8 | |
Крутизна характеристики, S | 0.8 | |
Корпус | SOT-223 | |
Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов